Bulgarian Институт по физика на твърдото тяло
Българска академия на науките
English
Начало
Физици
Фондове
Дарители
Изложби
Симпозиум
Юбилеи
Новини
Филми
Литература
Връзки
Услуги

Съюз на физиците в България
Мемоари

Създаден 10.7.2006
Промяна 1.1.2018

Биография
ЙОРДАН ДИМИТРОВ КАСАБОВ
(16.08.1928 – 13.04.1992)
Роден: е в Село Троица. [3]

Обучение:

Йордан Касабов учи физика във Физико-математическия факултет на Софийския университет (1946 – 1952) [1]

(Ph. D. – 1955): Защитава кандидатска дисертация под ръководството на акад. Георги Наджаков на тема "Върху строежа на запиращия слой на селеновите токоизправители". В нея доказва че при селеновите токоизправители добър изправителен ефект се получава при сложна структура на запиращия слой. Предложената от него нова технология за получаване на селенови токоизправители е внедрена в ЕЛПРОМ “Р. Дамянов” София [1]

DSc (1974): Дисертацията му за доктор на науките е на тема"Върху някои проблеми на МОС (метал-окис-силиций) транзисторите и МОС интегралните схеми" [1]

Преподавателска дейност:

Във Физическия факултет на Софийския университет въвежда курс по микроелектроника към катедрата по опитна физика.

Избран е за професор през 1974 г.

Професионален опит:

Младши научен сътрудник (18.04.1956 – 31.12.1961) [1]
Научен сътрудник І степен (01.01.1962 – 01.04.1963) [1]
Старши научен сътрудник ІІ степен (01.04.1963 – 15.03.1967) [1]

Във Физическия институт при БАН (1956) създава и ръководи Лаборатория силиций (1959 – 1966), която прераства в секция. В ИФТТ при БАН ръководи Сектора по физически проблеми на микроелектрониката (01.01.1979 – 9.11.1989) и Лабораторията по физически проблеми на микроелектрониката (09.11.1989 – 13.04.1992) [1]

В Института по физика на твърдото тяло при БАН ръководи сектор физически проблеми на микроелектрониката (01.01.1979 – 09.11.1989) и лаборатория по микроелектроника (09.11.1989-13.04.1992) [2]

На основата на тази секция е създаден Централния институт по елементи при Държавно стопанско обединение “Изот”, на който е директор от създаването му (15.03.1967 – 01.12.1973). Ръководи Централния институт по елементи (01.06.1974 – 31.12.1978) и след преименуването му в Институт по микроелектронни елементи [1]

Впоследствие Институтът по микроелектроника преминава под ведомството на ДСО “Електронни елементи” в Ботевград. Известно време е заместник генерален директор на ДСО “Електронни елементи” в Ботевград (01.12.1973 – 01.06.1974) [2]

Заместник-директор на Единния център по физика при Българската академия на науките (01.08.1982 – 01.01.1988) [1]

Йордан Касабов е директор на Централната лаборатория по външни запаметяващи устройства към Института по информационна и изчислителна техника при БАН (1984 – 1989) [4]

Научни изследвания:

Йордан Касабов поставя началото на интегралната електроника в България (1967) [1]

Работи върху получаване на чист силиций и изтегляне на монокристали от него (1959 – 1967). Под негово ръководство е създадена апаратура за безтигелно зонно топене на силиций, получени са бездислокационни силициеви уискери от газова фаза и е разработена технология за бързо израстване на дебели слоеве от силициев окис и вакуумен метод за дифузия на фосфор в силиций [2]

Разработва технология за създаване на високоефективни слънчеви батерии от нискоомен силиций. Под негово ръководство е разработена технологична документация на цех за МОС интегрални схеми. Проектът е реализиран в завода за полупроводници в Ботевград [2]

Разработена е технология за производство на МОС транзистори, микрорезистори и МОС интегрални схеми с микрорезистори за нуждите на електронните калкулатори. Серийното им производство е внедрено в завода в Ботевград. [2]

Награди:

  1. Член-кореспондент на Българската академия на науките.

  2. Научен секретар на Третия национален симпозиум с международно участие “Физика и електронизация”, 1–3 ноември 1984 г., Пловдив [1]

  3. Член на редколегията и главен редактор на списание "Природа", издавано от БАН [4]

  4. Член на Координационен център по информатика и изчислителна техника [4]

  5. Награда 100 години БАН (1969) [4]

  6. Награда по физика и математика на Съюза на учените в България (1973) [4]

  7. Член на Европейското физическо дружество (1974) [4]

  8. Орден "Кирил и Методий" (1985) І степен [4]

Публикации:

  1. Й. Касабов, Физика на повърхностните явления в полупроводници и МОС структури, Наука и изкуство, София (1977)

  2. Й. Касабов, Физически основи на полупроводниковата микроелектроника, Наука и изкуство, София (1981)

  3. Й. Касабов, По-ценен от диаманта, Народна просвета, София (1983)

  4. Й. Касабов, От фундаменталните изследвания до приложните разработки, в. Работническо дело, бр. 245, 2 септ. 1983, с. 4

  5. М. Борисов, Й. Касабов, Л. Попова, Състояние и перспективи на физиката на кондензираното състояние на веществото у нас, Доклади от ХІІ национална конференция върху въпроси на обучението по физика, Кърджали, ДФБ (1984) 111–127

  6. М. Борисов, Й. Касабов, Л. Попова, Състояние и перспективи за развитието на физиката на кондензираното състояние на веществото, Бюлетин на ДФБ (1984) 2, 1–10

  7. М. Борисов, Й. Касабов, “Инкубатори”, (интервю Н. Чакърова), в. Вечерни новини, бр. 293, 22 дек. 1984, с. 6

  8. М. Борисов, Л. Спасов, Й. Касабов, Я. Дюлгеров, Н.

  9. Янчев, Задълго спечелени позиции, (Интервю на М. Великова и З. Николов), в. Отечествен фронт, 13 юли 1984, с. 2

Авторски свидетелства:

  1. № 10158 (1961) Вакуумна инсталация без кварцова тръба за безтиглово пречистване на силиций

  2. № 10759 (1963) Дифузионен метод за направа на фотоелектрични преобразуватели от р-тип силиций и фосфорни дифузионни p-n преходи за други силициеви прибори

  3. № 13563 (1968) Метод за бързо получаване на дебели слоеве от силициев двуокис между силиций за планарна техника

  4. № 14014 (1968) Метод и устройство за дифузия на бор и силиций

  5. № 15672 (1970) Метод за електростатична защита на МОС прибори

  6. № 16305 (1970) Метод за получаване на високоомни дифузионни микрорезистори

  7. № 19942 (1973) Устройство за метализация на полупроводникови структури с труднотопими метали

  8. № 21784 (1974) Метод за определяне на температурата на чипа на МОС ИС в работен режим

  9. № 22895 (1975) Метод за регенерация на бракувани МОС ИС по ниски съпротивления

  10. № 23183 (1976) Метал-металоокисен слой за фотомаски

  11. № 37507 (1983) Биполярен латерален магнитотранзистор

  12. № 80540 (1987) Метод за странична изолация на силициеви чипове за йоночувствителни сензори

  13. № 83339 (1988) Метод и устройство за контрол на параметрите на йонно-чувствителен полеви транзистор върху силициев чип

Използвана литература:

  1. Л. Спасов, Г. Камишева, Милко Борисов за себе си и другите за него, Академично издателство "Проф. Марин Дринов" (2008) с. 201

  2. Г. Камишева, Постижения на физическите науки в БАН, Светът на физиката (2005) 3, 314–323

  3. Академици и член-кореспонденти на БАН (1988), Биобиблиографски справочник, изд. БАН, София (1989) 147 – 149

  4. К. Коленцов, Постижения на приложната физика в БАН. Открития и изобретения на учените от ФИ с АНЕБ и ИФТТ през ХХ век, Акад. изд. "Проф. Марин Дринов", София (2010) 78 – 82

  5. К. Коленцов, Чл.-кор. Йордан Касабов – забележителен учен и изобретател, създател на микроелектрониката в България, Български изобретатели (2005) 6, с. 28

  6. На учителя – чл-кор., проф. дфн Йордан Касабов (1928 – 1992) с признателност и почит, Светът на физиката, 15 (1992) 2, с. 128

  7. К. Коленцов, Чл.-кор. Йордан Касабов - основоположник на микро-електроникта в България, Homo Sciencs, бр. 8, с. 16 (2014)

Начало