Bulgarian Институт по физика на твърдото тяло
Българска академия на науките
English

Начало
Физици
Фондове
Дарители
Изложби
Симпозиум
Юбилеи
Новини
Филми
Литература
Връзки
Услуги
Книжарница


Мемоари

Създаден: 22.5.2015
Променен: 11.8.2015

Протоколи
Описи
Свидетелства
Академик, професор дфн
Ангел Попов

Приемателен протокол
ОПИС 1
(12 май 2015 г.)

    а.е. 1.
  1. М. Молдованова, Б. Арнаудов, А. Попов, Наши Светодиоди и лазери, Алманах "Вселена", изд. Наука и изкуство, София, 1973 (№ 1)

  2. М. Молдованова, А. Попов, Н. Станев, Н. Желева, Монокристали от галиев фосфид, Годишник на СУ, ФМФ (63) 209-213, 1971 (№ 12)

  3. А. Попов, Н. Станев, Апаратура за монокристали от галиев фосфид с вертикално зонно топене, Годишник на СУ, ФМФ (63) 145-149, 1971 (№ 13)

  4. М. Молдованова, А. Попов, Н. Станев, Ив. Батов, С. Евтиова, Електролуминесцентни диоди от галиев фосфид, Годишник на СУ, ФМФ (63) 141-148, 1973 (№ 14)

  5. И. Малджиев, А. Попов, Х. Момерин, И. Батов, Регулиране и стабилизиране на анодното напрежение на генератор ГИ 1-20 за безтигелно зонно топене на GaP, Годишник на СУ, ФМФ (63) 161-166, 1973 (№ 15)

  6. M. Moldovanova, A. Popov, Efficiency Dependence of GaP LED's on Oxigen Concentration, Годишник на СУ, ФМФ (64) 139-141, 1973-1974 (№ 16)

  7. A. Popov, Fundamental Photoluminescence of Undoped InP Crystals Cleaned by Floating Zone Method, Physica Status Solidi (a) 37 Nr 1, K53-K56, 1976 (№ 17)

  8. E. Trifonova, A. Popov, N-n Heterostruction CdSnP2-InP, Physica Status Solidi (a) v. 38, Nr 1, p. K37-K40, 1976 (№ 18)

  9. А. Попов, Влияние неконтролируемых примесей и структурных дефектов на излучательные свойства фосфида галлия, Физика и техника полупроводников, т. 11, кн. 6, с. 1072-1076, 1977 (№ 19)

10. A. Popov, I. Yanchev, On the Disorder Scatering in GaAsP Solid Solutions, Physica Status Solidi (a) v. 42, Nr 2, p. 687-691, 1977 (№ 20)

11. A. Popov, L. Demberel, Surface Tension of the Molten Stoichiometric InP, Kristall und Technik, 12, Nr 2, p. 1167-1170 1977(№ 21)

12. А. Попов, Некоторые особености фотолюминесцентных спектров эпитаксиальных слоев GaAs1-xPx, полученных из газовой фазы, Физика и техника полупроводников, АН СССР, т. 12, кн. 11, с. 2100-2105, 1978 (№ 22)

13. L. Demberel, A. Popov, D. Kushev, N. Zheleva, Deep Levels in Fe-Doped InP, Physica Status Solidi (a) v. 52, p. 341-345, 1979 (№ 23)

14. L. Demberel, A. Popov, D. Kushev, N. Zheleva, Deep Levels in Fe-Doped InP, Physica Status Solidi (a) v. 52, p. 653-656, 1979 (№ 24)

15. A. Popoc, R. Yakimova, Photoluminescence Spectra of n-Type GaAs:Sn Scystals, Physica Status Solidi (a) v. 51, p. K17-K21, 1979 (№ 25)

16. A. Popov, E. Trifonova, N-n Heterojunction CdSnAs2-InP, Physica Status Solidi (a) v. 58, p. 679-684, 1980 (№ 26)

17. A. Popov, A. Bahnev, Photocapacitance Studies on p-i-n InP:Fe Structures, Physica Status Solidi (a) v. 62, p. 715-718, 1980 (№ 27)

18. А. Копылов, А. Пихтин, А. Попов, Двухзарядный донор в фосфиде галлия, Физика и техника полупроводников, т. 15, кн. 4, с. 779-782, 1981 (№ 28)

19. (№ 29)

20. (№ 30)

21. (№ 31)

22. (№ 32)

23. (№ 33)

24. (№ 34)

25. (№ 35)

26. (№ 36)

27. (№ 37)

28. (№ 38)

29. (№ 39)

30. (№ 40)

31. (№ 42)

32. (№ 43)

33. (№ 44)

34. (№ 46)

35. (№ 47)

36. (№ 48)

37. (№ 49)

38. (№ 50)

39. (№ 51)

40. (№ 52)

41. (№ 53)

42. (№ 54)

43. (№ 55)

44. (№ 56)

45. (№ 57)

46. (№ 58)

47. (№ 59)

48. (№ 60)

49. (№ 61)

50. (№ 62)

51. (№ 63)

52. (№ 64)

53. (№ 65)

54. (№ 66)

55. (№ 67)

56. (№ 68)

57. (№ 69)

58. (№ 70)

59. (№ 71)

60. (№ 72)

61. (№ 73)

62. (№ 74)

63. (№ 75)

64. (№ 76)

65. (№ 77)

66. (№ 78)

67. (№ 79)

68. (№ 80)

69. (№ 81)

70. (№ 82)

71. (№ 83)

72. (№ 84)

73. (№ 85)

74. (№ 86)

75. (№ 87)

76. (№ 88)

77. (№ 89)

78. (№ 90)

79. (№ 91)

80. (№ 92)

81. (№ 93)

82. (№ 94)

83. (№ 95)

84. (№ 96)

85. (№ 97)

а.е. 2.
а.е. 3.

Назад