Bulgarian Институт по физика на твърдото тяло
Българска академия на науките
English

Начало

Физици

Фондове

Дарители

Изложби

Симпозиум

Юбилеи

Новини

Филми

Литература

Връзки

Услуги

Книжарница


Мемоари

Създаден 11.12.2019
Променен4.1.2021

Протоколи
Описи
Свидетелства
Биография
Соня Бойчева Касчиева
Дарение

Родена: в Шумен (15 февруари 1943)

Обучение:

Средно образование завършва в Шумен (1960)

Изучава атомна физика в Софийския университет (1960–1966). Специализира 5 месеца в Университета Лихай, Съединени Американски Щати (1973) и в Институт по Полупроводници на АН СССР в Киев, Украйна (20.04.1976–1977)

Доктор по физика (1978) и доктор на физическите науки (1999). Владее английски и руски език

Научни изследвания:

Първоначално работи върху радиационни дефекти в метал-окис-полупроводникови структури, получени чрез йонизиращо лъчение и йонна имплантация

Полупроводникови хетероструктури, интерфейс, радиационни дефекти, взаимодействие на гама, високо-енергетични електрони, неутрони, рентгенови и ултравиолетови лъчи със Si-SiO2 структури и йонна имплантация

Професионалин опит

  1. (1966) Работи като физик 4 месеца в завода за ядрени прибори в гр. Плевен

  2. (10.1966 – 1972) физик в секция Силиций на Физическия институт при Българската академия на науките

  3. (1972) научен сътрудник ІІІ степен, н.с. ІІ ст., (1978) н.с. І ст.

  4. (1995–2004) Доцент в ИФТТ-БАН

  5. (2004) Професор, ИФТТ-БАН

Публикации
  1. С. Касчиева, Исследование радиационных дефектов структуры металл-окис-полупроводник, полученных в результате различных воздействии, дисертация, ИФТТ-БАН, София (1978)

  2. S. Kaschieva, Generation and annealing of the radiation defects in MOS structures, D.Sc. Thesis, JINR, Dubna, (1999)

  3. С. Касчиева, Poslednite zashtitnici na Drjanovskija Manastir, Duma, Br. 235 (2020)

Използвана литература
  1. Лична страница

Назад